Molecular beam epitaxy of GaNAs alloys with high As content for potential photoanode applications in hydrogen production

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Molecular beam epitaxy of high mobility In0.75Ga0.25As for electron spin transport applications

The authors describe the molecular beam epitaxy of relaxed, nominally undoped In0.75Ga0.25As–In0.75Al0.25As quantum well structures grown on InP substrates. The maximum two-dimensional electron density is 2 1011 cm−2, with a peak mobility of 2.2 105 cm2 V−1 s−1 at 1.5 K. In high magnetic field, the electron g-factor was shown to have a magnitude of 9.1 0.1 at Landau-level filling factor of 4. T...

متن کامل

molecular and physiological characterizations of floral scent production in rosa damascena mill.

گل محمدی (r. damascena mill.)مهمترین گونه ای است که در تولید گلاب، عطر و اسانس، در صنعت عطرسازی و دارویی کاربرد دارد. با وجود اهمیت عطر گل محمدی، پژوهش های مولکولی و بیوشیمیایی عطر گل این گونه هنوز در مراحل ابتدایی است. در این پژوهش، ویژگی های مولکولی و فیزیولوژیکی تولید عطر در گل محمدی در آزمایش های مختلف مورد بررسی قرار گرفتند. در آزمایش اول، پژوهشی به منظور بررسی تنوع شیمیایی اسانس میان 44 ت...

the effects of high non fibrous carbohydrates diet on milk production, inflammation and molecular mechanism of innate immunity in lactating dairy cows

پژوهش حاضر با هدف بررسی اثر جیره حاوی کربوهیدراتهای غیرالیافی زیاد و بروز التهاب در گاوهای شیرده در دو آزمایش جداگانه انجام شد. در آزمایش اول 20 رأس گاو مبتلا به ورم پستان از دو گروه کم تولید و پرتولید (هر کدام 10 رأس) و 20 رأس گاو سالم از دو گروه کم تولید و پرتولید (هر کدام 10 رأس) انتخاب شدند. همه گاوها در دوره دوم و یا سوم شیردهی و در روزهای 80-120 پس از زایش بودند. میانگین تولید شیر در گروه...

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena

سال: 2010

ISSN: 2166-2746,2166-2754

DOI: 10.1116/1.3368600